| Part # | MFR | Description | Stock | Unit Price | |
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| ERB2152BMSD | Erised Semiconductor | ERB2152是一款高度集成专为保护的4～5串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2152为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能。 ERB2152的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2152可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET。 ERB2152的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2152采用SSOP16封装。 | buy new | ||
| ERB2171AMSH | Erised Semiconductor | ERB2171是一款高度集成专为保护的6～7串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2171为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线、充放电过温/低温保护以及均衡功能。 ERB2171的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2171可以直接驱动外部P型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的DCTRL引脚，输入外部 PWM信号通过此引脚来控制DO_PWM引脚输出，进一 步去控制N型放电MOSFETs来实现所需软启动或电机 调速等功能。 ERB2171的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2171采用SSOP24封装。 | buy new | ||
| ERB2170BMSH | Erised Semiconductor | ERB2170是一款高度集成专为保护的4～7串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2170为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能， 并支持芯片级联使用。 ERB2170的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2170可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的CTLC和CTLD引脚，让客 户可根据应用控制充放电MOSFETs。 ERB2170的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2170采用SSOP24封装。 | buy new | ||
| ERB2172AMSD | Erised Semiconductor | ERB2172是一款高度集成专为保护的6～7串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2172为电池包提供过充、过放、 断线以及充放电过温/低温保护功能。 ERB2172的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2172可以直接驱动外部P型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的DCTRL引脚，输入外部 PWM信号通过此引脚来控制DO引脚输出，进一步去 控制N型放电MOSFETs来实现所需软启动或电机调速 等功能。 | buy new | ||
| ERB2150BMSD | Erised Semiconductor | ERB2150 是一款高度集成专为保护的 5 串锂离子電池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏或寿 命缩短的风险。 ERB2150 为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线以及充放电过温/低温保护功能。 ERB2150 的充电过温/低温保护阈值和放电过温/低 温保护阈值可通过外部电阻独立设。 | buy new | ||
| ERB2151BMSD | Erised Semiconductor | ERB2151是一款高度集成专为保护的4～5串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2151为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线、充放电过温/低温保护以及均衡功能。 ERB2151的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2151可以直接驱动外部P型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的DCTRL引脚，输入外部 PWM信号通过此引脚来控制DO引脚输出，进一步去 控制N型放电MOSFETs来实现所需软启动或电机调速 等功能。 ERB2151的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2151采用SSOP16封装。 | buy new | ||
| ERB2150AMSD | Erised Semiconductor | ERB2150 是一款高度集成专为保护的 5 串锂离子電池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏或寿 命缩短的风险。 ERB2150 为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线以及充放电过温/低温保护功能。 ERB2150 的充电过温/低温保护阈值和放电过温/低 温保护阈值可通过外部电阻独立设。 | buy new | ||
| ERB2141AMSD | Erised Semiconductor | 一款高度集成专为保护的4串锂离子 电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏或 寿命缩短的风险。 ERB2141为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线以及充放电过温/低温保护功能。 ERB2141的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 | buy new | ||
| ERB2151AMSD | Erised Semiconductor | ERB2151是一款高度集成专为保护的4～5串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2151为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线、充放电过温/低温保护以及均衡功能。 ERB2151的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2151可以直接驱动外部P型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的DCTRL引脚，输入外部 PWM信号通过此引脚来控制DO引脚输出，进一步去 控制N型放电MOSFETs来实现所需软启动或电机调速 等功能。 ERB2151的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2151采用SSOP16封装。 | buy new | ||
| ERB2140BMSD | Erised Semiconductor | ERB2140 是一款高度集成专为保护的 4 串锂离子电 池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏或寿 命缩短的风险。 ERB2140 为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能。 ERB2140 的充电过温/低温保护阈值和放电过温/低 温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 | buy new | ||
| ERB2152AMSD | Erised Semiconductor | ERB2152是一款高度集成专为保护的4～5串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2152为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能。 ERB2152的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2152可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET。 ERB2152的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2152采用SSOP16封装。 | buy new | ||
| ERB2141BMSD | Erised Semiconductor | 一款高度集成专为保护的4串锂离子 电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏或 寿命缩短的风险。 ERB2141为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线以及充放电过温/低温保护功能。 ERB2141的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 或 寿命缩短的风险。 ERB2141为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线以及充放电过温/低温保护功能。 ERB2141的充电过温/低温保护阈值和放电 | buy new | ||
| ERB2171BMSH | Erised Semiconductor | ERB2171是一款高度集成专为保护的6～7串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2171为电池包提供过充、过放、 放电过流、断线、充放电过温/低温保护以及均衡功能。 ERB2171的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2171可以直接驱动外部P型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的DCTRL引脚，输入外部 PWM信号通过此引脚来控制DO_PWM引脚输出，进一 步去控制N型放电MOSFETs来实现所需软启动或电机 调速等功能。 ERB2171的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2171采用SSOP24封装。 | buy new | ||
| ERB2170AMSH | Erised Semiconductor | ERB2170是一款高度集成专为保护的4～7串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2170为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能， 并支持芯片级联使用。 ERB2170的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2170可以直接驱动外部N型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的CTLC和CTLD引脚，让客 户可根据应用控制充放电MOSFETs。 ERB2170的低功耗设计让电池包在存储阶段只消 耗微不足道的电流。 ERB2170采用SSOP24封装。 | buy new | ||
| ERB2140AMSD | Erised Semiconductor | ERB2140 是一款高度集成专为保护的 4 串锂离子电 池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏或寿 命缩短的风险。 ERB2140 为电池包提供过充、过放、 充放电过流、断线、充放电过温保护以及均衡功能。 ERB2140 的充电过温/低温保护阈值和放电过温/低 温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 | buy new | ||
| ERB2172BMSD | Erised Semiconductor | ERB2172是一款高度集成专为保护的6～7串锂离 子电池或锂聚合物电池保护芯片，可降低因电池损坏 或寿命缩短的风险。ERB2172为电池包提供过充、过放、 断线以及充放电过温/低温保护功能。 ERB2172的充电过温/低温保护阈值和放电过温/ 低温保护阈值可通过外部电阻独立设置。 ERB2172可以直接驱动外部P型的充电MOSFET和N 型放电MOSFET，并保留特殊的DCTRL引脚，输入外部 PWM信号通过此引脚来控制DO引脚输出，进一步去 控制N型放电MOSFETs来实现所需软启动或电机调速 等功能。 | buy new | ||
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