IRL3713PBF
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产品描述:
Transistor, N-MOSFET, unipolar, 30V, 200A, 200W, TO220AB
标准包装:50
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安装类型 通孔
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 110nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 260A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 30V
封装/外壳 TO-220-3
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 TO-220AB
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 38A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 5890pF @ 15V
功率 - 最大值 330W
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