安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 3A(Ta) |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 45 毫欧 @ 3.9A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 750mW |