FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
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漏源极电压(Vdss) | 20V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | TUMT6 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1.5A |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |