FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
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FET 功能 | 逻辑电平栅极,4V 驱动 |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 200mA(Ta) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | VMT3 |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.4 欧姆 @ 200mA,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 10V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-723 |