| QS8M51TR | ||
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| 产品描述：
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
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| 标准包装：3000 | ||
| 数据手册： | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 325 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 4.7nC @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2A，1.5A |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 290pF @ 25V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
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