| RQ5H020SPTL | ||
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| 产品描述：
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
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| 漏源极电压（Vdss） | 45V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 190 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 9.5nC @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 540mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| FET 功能 | 标准 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2A（Ta） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 500pF @ 10V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | SC-96 |
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