晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
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电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V |
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) | 10k |
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
频率 - 跃迁 | 260MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | EMT3 |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) | 1k |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 150mW |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |