安装类型 | 通孔 |
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FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 12A(Ta) |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
FET 功能 | 标准 |
供应商器件封装 | I-Pak |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 180 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 55W |
数据手册: |
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