安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 500µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 11.6A(Tc) |
漏源极电压(Vdss) | 560V |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
FET 功能 | 标准 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 380 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 125W |
数据手册: |
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