IRFR3607TRPBF
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产品描述:
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
标准包装:2000
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 84nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 56A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 75V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 D-Pak
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 46A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3070pF @ 50V
功率 - 最大值 140W
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