ROHM罗姆小型低损耗肖特基势垒二极管“RBR/RBQ系列”的产品阵容进一步扩大

发布时间:2023-02-02 14:48
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:1966

  RBR系列:低损耗且效率更高,用更小封装实现同等性能

  ROHM的小型高效率肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)产品在车载设备、工业设备和消费电子设备等众多应用中拥有出色的应用实绩,此次,其产品阵容中又新增了12款“RBR系列”产品和12款“RBQ系列”产品。至此,这两个系列的产品阵容总计已达178款产品。另外,这两个系列中均有符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品。

  随着各种应用产品对更低损耗的要求提高,与其他二极管相比,正向电压VF(以下简称“VF”)更低的低损耗SBD应用越来越广泛。然而,如果为了降低损耗而降低VF,则具有权衡关系的反向电流IR(以下简称“IR”)会变大,热失控的风险会增加,因此,在SBD选型过程中,很重要的一点是需要根据用途和目的对VF特性与IR特性进行平衡考量。

  ROHM进一步增强了满足VF特性和IR特性平衡需求的SBD产品阵容,并致力于扩充支持更大电流、更高电压和小型化的产品阵容。此次扩充产品阵容的RBR系列具有IR得到抑制且VF更低的特点,有助于降低损耗。同样,RBQ系列通过平衡VF特性和IR特性,可降低热失控的风险。

ROHM罗姆小型低损耗肖特基势垒二极管“RBR/RBQ系列”的产品阵容进一步扩大

  下面介绍RBR系列的亮点。

  RBR系列的亮点1

  具有低VF特性,损耗更低

  RBR系列不仅保持了与低VF特性存在权衡关系的低IR特性,与相同尺寸的ROHM以往产品相比,VF降低约25%,损耗更低,不仅非常适用于要求更高效率的车载充电器等车载设备,还非常适用于要求更节能的笔记本电脑等消费电子设备。

  另外,与同等性能产品相比,RBR系列的芯片尺寸更小,使得ROHM小型封装的产品阵容得以进一步扩充。例如,以往3.5mm×1.6mm尺寸(PMDU封装)的产品,现在可以替换为RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸(PMDE封装)的产品,这样可以减少约42%的安装面积。

ROHM罗姆小型低损耗肖特基势垒二极管“RBR/RBQ系列”的产品阵容进一步扩大

  RBR系列的亮点2

  新增的小型封装产品有助于进一步节省空间

  在RBR系列中,此次新增了12款2.5mm×1.3mm的PMDE封装产品(消费电子设备和车载领域各6款)。至此,该系列已经拥有140款产品(耐压:30V/40V/60V,电流:1A~40A),丰富的产品阵容可以满足节省空间乃至降低损耗的需求。

ROHM罗姆小型低损耗肖特基势垒二极管“RBR/RBQ系列”的产品阵容进一步扩大

  应用示例

  车载充电器

  LED前照灯

  汽车配件

  笔记本电脑


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ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。  二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD,其VF低于平面结构的SBD,因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品,其trr比平面结构的要差,因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题,ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。  “YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品,也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计,实现了业界超快的trr(15ns),与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比,trr单项的损耗降低约37%,总开关损耗降低约26%,因此,有助于降低应用产品的功耗。另外,通过采用沟槽MOS结构,与以往采用平面结构的SBD相比,正向施加时的损耗VF* 2和反向施加时的损耗IR* 3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗,还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*4。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。  新产品从2023年12月起全部投入量产(样品价格:300日元~/个,不含税),样品可通过Ameya360等网售平台购买。今后,ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质,并继续加强别具特色的产品阵容,为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。    <关于SBD的沟槽MOS结构>  沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽(沟槽MOS)并用多晶硅填充的结构,这种结构可以缓和电场集中,从而可以降低外延层的电阻率,在正向施加时VF更低。另外,当反向施加时,可以缓和电场集中现象,从而实现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构,与以往产品相比,VF改善了约7%,IR改善了约82%。另一方面,在普通沟槽MOS结构中,寄生电容(元器件中的电阻分量)较大,因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR,而且还利用ROHM自有的结构设计,实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%,因此非常有助于降低应用产品的功耗。  <应用示例>  ・汽车LED前照灯 ・xEV用DC-DC转换器 ・工业设备电源 ・照明  <产品阵容表>  <支持页面和资源信息>  ROHM的官网提供可以了解新产品电路优势的应用指南,以及介绍包括新产品在内的各SBD系列产品特点的白皮书。在SBD产品页面中,可以通过输入耐压条件等参数来缩小产品范围,有助于设计时顺利选择产品。详情请访问以下网址:  ■ROHM的SBD产品页面  https://www.rohm.com.cn/products/diodes/schottky-barrier-diodes  ■应用指南  《车载用小型高效肖特基势垒二极管“YQ系列”的优势》  https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-c.pdf  ■白皮书  有助于车载、工业和消费电子设备小型化并降低损耗的ROHM SBD产品阵容  https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-c.pdf  <电商销售信息>  电商平台:Ameya360  产品型号:见上表。  新产品在其他电商平台也以开始逐步发售。  <术语解说>  *1) 反向恢复时间:trr(Reverse Recovery Time)  开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低,开关时的损耗越小。  *2) 正向电压:VF(Forward Voltage)  当电流沿从+到-的方向流动时产生的电压降。该值越低,效率越高。  *3) 反向电流:IR(Reverse Current)  反向施加电压时产生的反向电流。该值越低,功耗(反向功耗)越小。  *4) 热失控  当向二极管施加反向电压时,内部的芯片发热量超过了封装的散热量,导致IR值增加,最终造成损坏的现  象称为“热失控”。IR值高的SBD尤其容易发生热失控,因此在设计电路时需要格外注意。
2024-01-23 17:41 阅读量:1172
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