DRAM/NAND Flash价格连续上涨,扩产成了三星/SK海力士等厂的唯一共识?

发布时间:2017-07-31 00:00
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来源:集微网
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IC Insights的报告显示,DRAMNAND Flash售价已经连续四个季度上涨。

不过因为原厂纷纷提出扩产计划,IC Insights稍早忧心忡忡认为,未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储,都大举提高3D NAND Flash产能,大陆还有新建厂商也会加入战场,3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。



近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大内存扩产,让3D NAND存储器战火提前引爆。 市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前画下句点。

SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主;另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。 这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年,如今将提早至明年第4季,比预定时间提早半年。

虽然SK海力士强调这是投资只要用于技术升级,即使新厂落成,也不会造成整体内存暴增,估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%,不会造成内存供过于求,不过业界担心内存乌云将提前飘至。

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