DRAM,MOS管缺货!三星通知代工厂:第四季度合约价涨10%

发布时间:2017-08-14 00:00
作者:Ameya360
来源:经济日报
阅读量:286

缺、缺、缺,涨、涨、涨,DRAM内存三巨头同时缺货,三星向电子代工厂客户发通知,第四季度合约价格再提升10%。

全球DRAM龙头韩国三星电子近期通知相关电子委托制造厂,计划调涨第4季移动内存(Mobile DRAM)合约价,涨幅近一成,反映DRAM供货短缺仍未得到缓解,加上地缘政治紧张的预期心理,涨势可望延续至今年第4季。

内存厂商强调,DRAM从去年起涨,主要受惠数据中心的服务器用DRAM需求强劲,加上网通类产品的需求随导入嵌入式多芯片封装内存的整合架构,带动DRAM需求增加,但供给端因DRAM产业制程已接近极限,前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂,造成供货紧缩,使平均销售单价居高不下,创下史上涨势幅度最大且最久的纪录。

不少分析师预期DRAM价格将在本季创高峰,但受到美光桃园N2厂氮气厂纯化设备毁坏影响,DRAM缺货不仅短期难解,价格涨势也超乎预期。

稍早集邦调查,7月DRAM合约价单月涨幅达4.6%,虽然美光桃园N2厂已陆续恢复生产,美光也计划在未来几个月增产,弥补这段时间生产线影响的缺口。

但据调查,美光桃园N2厂这次受损及报废的12吋DRAM晶圆估计达5万片,且多数以供货给苹果手机和相关服务器用的低功耗移动DRAM,给全球最大移动内存供货商三星填补缺口的机会,并决定在第4季各大手机和移动设备备货旺季,调涨移动内存售价。

根据内存分销商透露,三星已通知相关电子代工厂,第4季调涨移动DRAM合约价,涨幅约一成。

元器件大缺货开始影响下游系统厂

第3季进入传统电子产品销售旺季,但今年受到DRAM、NAND/NOR Flash缺货冲击,加上金氧半场效晶体管(MOSFET)供货吃紧,已影响到下游系统厂的出货,除笔电厂及手机厂出货因此递延,家电及电视厂也开始对库存进行调控,这些都进一步影响到其它芯片厂第3季出货。

上半年是电子产品出货淡季,虽然DRAM及NAND/NOR Flash缺货,MOSFET供货不足交期拉长,但并未真正影响电子产品供应链。 惟第3季的传统出货旺季已经到来,内存缺货问题不仅未获纾解,供给缺口反而更大,加上MOSFET供货不足,连微控制器(MCU)交期一再拉长,许多系统厂及ODM/OEM厂大感意外。

一线系统厂及ODM/OEM厂如苹果、华为、联想、华硕等业者,上半年先向供货商绑好产能,内存、MOSFET并没有太严重的供给不足问题,只是难以避免价格上涨问题。 至于二、三线业者,第2季无法取得足够内存及MOSFET货源,第3季旺季期间更直接面临缺货压力,只好延后出货,连带影响其它芯片厂营运。

以数字机顶盒供应链来说,内存缺货导致出货延后,机顶盒芯片厂扬智7月合并营收月减23.3%达2.73亿元,射频芯片厂宏观微电子7月合并营收亦月减9%达0.83亿元。

宏观表示,受到内存价格上涨以及现货供货吃紧,机顶盒制造商客户递延出货,也因此减少对射频芯片产品的提货,宏观7月营收较6月下滑。 不过随电子产业进入传统旺季,射频芯片产品的出货会陆续回温。

此外,DRAM厂也全力增产因应,南亚科快速拉升20奈米投片比重提高位出货量,华邦电将DRAM产能移转生产需求最强劲的NOR Flash。 MOSFET厂如大中、尼克松、富鼎等,也积极争取晶圆代工产能提高投片量,下半年出货量将明显放大。

因订单只是递延,并没有因此取消,随着内存、MOSFET供货陆续增加,业者看下半年景气仍维持乐观。 以目前生产链的排程来看,8、9月的内存及MOSFET供货量将逐月提升,其它逻辑芯片厂出货也会稳定复苏,订单延后到第4季出货十分普遍,第4季可望成为今年最旺的一季。(来源:经济日报、工商时报)

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