SiC功率MOSFET

ROHM的SiC MOSFET具有低导通电阻和低开关损耗

ROHM的碳化硅（SiC）MOSFET可提供各种额定电流和封装。它们具有650 V，1,200 V或1,700 V 的各种导通电阻和电压（V DSS）额定值。与IGBT不同，关断期间没有尾电流，从而实现更快的工作速度和更低的开关损耗。此外，与硅器件不同，导通电阻即使在高温下也保持相对恒定，从而使传导损耗最小化。提供具有最大短路耐受时间的第二代平面和具有减小的输入电容和较低栅极电荷模型的第三代沟槽。裸片最高可达1,700 V。

特征

• 快速切换，低损耗

• 最高结温：+ 175°C

• 封装器件额定电压为650 V，1,200 V或1,700 V.

• 导通电阻为17mΩ至1,150mΩ

• 提供Spice模型和热模型

• 第二代平面技术，具有更长的短路耐受时间

• 对体二极管的使用没有限制

• 采用低输入电容（C ISS）和低栅极电荷（Q G）的第三代沟槽技术

• 直流阻断电压：650 V，1,200 V，1,700 V.

• 最小的开关损耗

• 工作温度范围：-40°C至+ 175°C

应用

• 用于感应加热的变频器

• 电机驱动逆变器

• 双向转换器

• 太阳能逆变器

• 电力调节器

采用开尔文源连接的第三代TO-247-4L封装（NEW）

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		SCT3040KRC14	1200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4	30	查看详情
		SCT3080KRC14	1200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4	30	查看详情
		SCT3105KRC14	1200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4	30	查看详情
		SCT3030ARC14	采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET	0	查看详情
		SCT3060ARC14	采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET	30	查看详情
		SCT3080ARC14	采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET	0	查看详情

SiC功率MOSFET单一

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		SCT2080KECU	MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247	20	查看详情
		SCT2120AFCU	MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB	10	查看详情
		SCT2280KECU	MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247	22	查看详情
		SCT2450KECU	MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247	17	查看详情
		SCT2H12NZGC11	MOSFET N-CH 1700V 3.7A TO-3PFM	55	查看详情

SiC功率MOSFET阵列

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		BSM080D12P2C008	MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE	4	查看详情
		BSM120D12P2C005	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE	8	查看详情
		BSM300D12P2E001	MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE	22	查看详情
		BSM180D12P2C101	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE	10	查看详情